|
3.2 红外光谱分析
 
图2、图3分别为WO3薄膜、WO3-SiO2复合薄膜样品的FT-IR曲线, 表1、表2分别列出了图2 WO3薄膜的FT-IR曲线 图3 WO3-SiO2复合薄膜的FT-IR曲线
Fig.2 FT-IR curve of WO3 thin films Fig.3 FT-IR curve of WO3-SiO2 thin films
曲线吸收峰所对应的振动基团[4、5],表中Od代表端氧。 DANIEL的研究认为对称性高的WO3分子在非晶态时仅有一个W-O-W吸收峰(在600-900 cm-1之间),在结晶态时有两个吸收峰,另外的吸收峰是由于分子变形结构不对称形成的。对比两个图表的结果可见,它们主要的共同点是:凝胶薄膜中除主要含有W-O-W外,还含有W-O-O、W-Od、W-O-H基团和大量水分。随着热处理温度的提高,水分和W-Od、W-O-H基团减少并消失,W-O-W伸缩振动形成的小肩峰逐渐消失,在
表1 在不同温度下热处理的WO3薄膜的特征吸收
Table 1 Characteristic frequencies of WO3 thin films heated at different temperature
|
|
Room Temp. |
150℃ |
250℃ |
350℃ |
450℃ |
|
υO-H / cm-1 |
3550-3200 |
3202 |
|
|
|
|
δO-H / cm-1 |
1625 |
1628 |
|
|
|
|
δW-O-H / cm-1 |
1415 |
1419 |
1422 |
|
|
|
υW-Od / cm-1 |
968 |
|
|
|
|
|
υW-O-W / cm-1 |
879、780、648 |
776、648 |
659 |
661 |
798、723 |
|
υW-O-O / cm-1 |
552 |
|
|
|
|
|
δW-O-W /cm-1 |
448 |
466 |
486、430 |
480、442 |
477 |
表2 在不同温度下热处理的WO3-SiO2复合薄膜的特征吸收
Table2 Characteristic frequencies of WO3-SiO2 thin films at different temperature
|
|
室温 |
150℃ |
250℃ |
350℃ |
450℃ |
|
υO-H / cm-1 |
3400 |
3228 |
3232 |
|
|
|
δO-H / cm-1 |
1627 |
1618 |
1619 |
|
|
|
δW-O-H / cm-1 |
1420 |
1423 |
1422 |
1420 |
|
|
Si-O-Si |
1077 |
1071 |
1070 |
1074 |
1079 |
|
Si-OH |
881 |
|
|
|
|
|
υW-Od / cm-1 |
967 |
|
|
|
|
|
υW-O-W / cm-1 |
881、779、660 |
780、655 |
785、661 |
774、668 |
750 |
|
υW-O-O / cm-1 |
551 |
|
|
|
|
|
δW-O-W /cm-1 |
448 |
449 |
462 |
454 |
|
650-660cm-1附近的主峰增强,说明在热处理过程中,随着水分等的失去,氧化钨分子之间逐渐缩合(如W-OH之间的缩合),W-O-W基团增多,网络连接程度增高,分子对称性增强。其显著的差异是:WO3薄膜样品中(表1)的水峰和W-OH基团自250℃起明显减少近乎消失,在660 cm-1附近形成单一的W-O-W吸收峰。而WO3-SiO2复合薄膜样品(表2)在250℃ 时仍含有较多水分和W-OH基团,W-O-W伸缩振动除在660 cm-1附近形成强吸收峰外,仍在780 cm-1附近有一小肩峰,说明由于SiO2存在,薄膜不易失去水分,氧化钨分子缩合程度较低,网络连接度低,且由于水分等的存在,分子对称性较低。 此外,WO3薄膜450℃时形成明显的晶化双峰,而复合薄膜则没有。
3.3扫描电镜形貌观察

图4 150℃热处理WO3-SiO2薄膜 图5 350℃热处理WO3-SiO2薄膜
Fig4. SEM image of WO3-SiO2 thin films at 150℃ Fig5. SEM image of WO3-SiO2 thin films at 350℃
图4为150℃下热处理的WO3-SiO2复合薄膜的扫描电镜照片。图中可见细小的颗粒相互堆积形成致密薄膜。相同温度热处理的WO3薄膜有类似的结果,且更为平滑、致密。 图5为350℃热处理WO3-SiO2复合薄膜的扫描电镜照片,图中均匀分布了由于两种物相膨胀系数不同产生的微裂纹。
上一页 [1] [2] [3] 下一页 |