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WO3 - SiO2复合薄膜结构和气致变色性能研究

作者:徐雪青 沈…   点击数:   更新时间:2007-7-1 9:44:34

  3.2 红外光谱分析

  

  图2、图3分别为WO3薄膜、WO3-SiO2复合薄膜样品的FT-IR曲线,
表1、表2分别列出了图2 WO3薄膜的FT-IR曲线 图3 WO3-SiO2复合薄膜的FT-IR曲线

   Fig.2 FT-IR curve of WO3 thin films Fig.3 FT-IR curve of WO3-SiO2 thin films

  曲线吸收峰所对应的振动基团[4、5],表中Od代表端氧。 DANIEL的研究认为对称性高的WO3分子在非晶态时仅有一个W-O-W吸收峰(在600-900 cm-1之间),在结晶态时有两个吸收峰,另外的吸收峰是由于分子变形结构不对称形成的。对比两个图表的结果可见,它们主要的共同点是:凝胶薄膜中除主要含有W-O-W外,还含有W-O-O、W-Od、W-O-H基团和大量水分。随着热处理温度的提高,水分和W-Od、W-O-H基团减少并消失,W-O-W伸缩振动形成的小肩峰逐渐消失,在

  表1 在不同温度下热处理的WO3薄膜的特征吸收

  Table 1 Characteristic frequencies of WO3 thin films heated at different temperature

 
Room Temp.
150℃
250℃
350℃
450℃
υO-H / cm-1
3550-3200
3202
 
 
 
δO-H / cm-1
1625
1628
 
 
 
δW-O-H / cm-1
1415
1419
1422
 
 
υW-Od / cm-1
968
 
 
 
 
υW-O-W / cm-1
879、780、648
776、648
659
661
798、723
υW-O-O / cm-1
552
 
 
 
 
δW-O-W /cm-1
448
466
486、430
480、442
477

  表2 在不同温度下热处理的WO3-SiO2复合薄膜的特征吸收

  Table2 Characteristic frequencies of WO3-SiO2 thin films at different temperature

 
室温
150℃
250℃
350℃
450℃
υO-H / cm-1
3400
3228
3232
 
 
δO-H / cm-1
1627
1618
1619
 
 
δW-O-H / cm-1
1420
1423
1422
1420
 
Si-O-Si
1077
1071
1070
1074
1079
Si-OH
881
 
 
 
 
υW-Od / cm-1
967
 
 
 
 
υW-O-W / cm-1
881、779、660
780、655
785、661
774、668
750
υW-O-O / cm-1
551
 
 
 
 
δW-O-W /cm-1
448
449
462
454
 

  650-660cm-1附近的主峰增强,说明在热处理过程中,随着水分等的失去,氧化钨分子之间逐渐缩合(如W-OH之间的缩合),W-O-W基团增多,网络连接程度增高,分子对称性增强。其显著的差异是:WO3薄膜样品中(表1)的水峰和W-OH基团自250℃起明显减少近乎消失,在660 cm-1附近形成单一的W-O-W吸收峰。而WO3-SiO2复合薄膜样品(表2)在250℃ 时仍含有较多水分和W-OH基团,W-O-W伸缩振动除在660 cm-1附近形成强吸收峰外,仍在780 cm-1附近有一小肩峰,说明由于SiO2存在,薄膜不易失去水分,氧化钨分子缩合程度较低,网络连接度低,且由于水分等的存在,分子对称性较低。 此外,WO3薄膜450℃时形成明显的晶化双峰,而复合薄膜则没有。

  3.3扫描电镜形貌观察

  

  图4 150℃热处理WO3-SiO2薄膜 图5 350℃热处理WO3-SiO2薄膜

  Fig4. SEM image of WO3-SiO2 thin films at 150℃ Fig5. SEM image of WO3-SiO2 thin films at 350℃

  图4为150℃下热处理的WO3-SiO2复合薄膜的扫描电镜照片。图中可见细小的颗粒相互堆积形成致密薄膜。相同温度热处理的WO3薄膜有类似的结果,且更为平滑、致密。 图5为350℃热处理WO3-SiO2复合薄膜的扫描电镜照片,图中均匀分布了由于两种物相膨胀系数不同产生的微裂纹。

 

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