|
3.3 超滤装置进出水压差的变化
试验期间保持产水流量不变，监测超滤进出水压力数据，得到超滤的进出水差压变化曲线，并经温度修正后如图3所示。可以看出，超滤的进出水压差在试验期间有一定的波动，但总体没有明显的升高趋势。说明在此期间超滤膜没有明显的污堵。
图3. 超滤过膜压差的变化情况
3.4 反渗透和EDI的除盐情况
除盐系统包括一、二级反渗透和EDI。一级反渗透作为预脱盐装置，脱除水中大部分的溶解盐类、颗粒、硬度、活性硅，二级反渗透和EDI作为精脱盐装置，进一步脱除水中微量的溶解盐类、硬度、活性硅，使整个系统的出水水质达到超高压亚临界锅炉的补水水质要求。原水和EDI产水电导率的变化如下图所示：
图4. 原水与EDI产水电导率的变化
可以看到，EDI产水电导率在运行初期从0.15mS/cm逐渐稳定在0.06mS/cm以下，满足锅炉补给水的要求（<0.2mS/cm）
3.5 膜法除盐系统对硅的去除
硅是锅炉补给水的一项重要指标，在电厂的运行中硅的含量被严格监测和控制。试验期间，对膜法除盐系统的进、出水硅含量进行了监测分析。其中两次取水样送至“北京谱尼理化分析测试中心”进行低含量硅的分析，分析结果如下：
|
序号 |
水样一（取样时间：2003年3月29日9:00） |
水样二（取样时间：2003年4月2日12:00） |
|
1 |
原水 |
全硅（mg/l） |
8.73 |
|
|
|
|
活性硅（mg/l） |
8.18 |
|
|
|
|
2 |
双滤料出水 |
全硅（mg/l） |
6.69 |
双滤料出水 |
全硅（mg/l） |
|
|
活性硅（mg/l） |
6.28 |
|
活性硅（mg/l） |
8.01 |
|
3 |
超滤出水 |
全硅（mg/l） |
6.16 |
|
|
|
|
活性硅（mg/l） |
5.79 |
|
|
|
|
4 |
一级RO出水 |
全硅（mg/l） |
0.084 |
一级RO出水 |
活性硅（mg/l） |
0.078 |
|
去除率 |
98.64% |
|
去除率 |
99.02% |
|
5 |
二级RO出水 |
全硅（mg/l） |
0.012 |
|
|
|
|
去除率 |
85.71% |
|
|
|
|
6 |
EDI出水 |
全硅（mg/l） |
0.002 |
EDI出水 |
活性硅（mg/l） |
0.003 |
|
去除率（%） |
83.3% |
|
|
|
从表中数据可以看出，膜法除盐系统各单元对硅均有较高的脱除率。一级反渗透脱硅率达到99%左右，与设计软件的计算值接近；而二级反渗透进水的硅含量较低（84ppb），其对硅的脱除率也相对较低，约86％；而EDI对硅的脱除率约为83%。试验期间系统产水硅含量在0.003 mg/L(3ppb)左右。
另外，EDI产水中的硬度指标始终保持在检测下限之下，符合锅炉用水的要求。
4. 结论
通过试验过程和试验过程各种数据的分析，可以得出以下结论
1. 试验期间，万家寨水库水经过“双滤料过滤+超滤+两级反渗透+EDI”的工艺处理后，出水硬度、活性硅、电阻率各项指标完全能满足古交新建超高压亚临界锅炉补给水的要求。
2. 双滤料过滤后水质的浊度和SDI值均不满足反渗透的进水要求；而经超滤处理后，产水浊度小于1、SDI小于1，可大大降低反渗透膜的受污染程度。同时超滤本身没有观察到明显的污堵现象；
3. EDI出水硬度接近于0、活性硅含量仅3ppb、电导率低于0.06mS/cm，各项指标完全能满足古交电厂超高压亚临界锅炉补给水的要求。考虑到原水硅含量可能的波动、反渗透和EDI设备性能长期运行后可能的衰减等因素，综合认为该工艺是安全、可靠的。 上一页 [1] [2] [3] |
网友评论：（只显示最新10条。评论内容只代表网友观点，与本站立场无关！） 
站内论文搜索
